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真空鍍碳儀庫號：M363207真空鍍碳儀庫號：M363207
技術規(guī)格說明
樣品倉尺寸：φ150mmX110mm
蒸發(fā)面積：約Φ140mm
高真空度：≤4×10-2mbar
工作電壓：220V,50HZ
蒸發(fā)輸出：電壓30V
蒸發(fā)靶材：碳棒、碳繩
蒸發(fā)大電流：約100A
理想膜層的特點
1.導熱和導電性能。
2.不管樣品的表面形貌如何，覆蓋在部位的膜層需要薄厚均勻。
3.膜層對樣品的化學成分干擾小，對從樣品中發(fā)射的X射線強度影響弱。
4.這層膜主要增加樣品表面的導電性能和導熱性能，相較于導電金屬膜層的厚度普遍在10nm以上；可提供碳的鍍層，在3-4nm分辨率尺度內不顯示其幾何形貌特點，避免引入人為圖像，鍍層均勻，適合粗糙的樣品，高分辨研究。
5.可以噴碳（碳棒或碳繩），對樣品中非碳元素的能譜分析。
6.非導電樣品觀察背散射電子圖像，進行EBSD分析，也應該噴碳處理。
主要用于掃描電鏡 EDS 樣品鍍導電膜 ，是配合SEM 制樣的儀器。
技術規(guī)格說明
樣品倉尺寸：φ150mmX110mm
蒸發(fā)面積：約Φ140mm
高真空度：≤4×10-2mbar
工作電壓：220V,50HZ
蒸發(fā)輸出：電壓30V
蒸發(fā)靶材：碳棒、碳繩
蒸發(fā)大電流：約100A
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